的太阳能电池伏安特性的分析与模拟

第35卷第Z 期

Z 006年Z 月

光子学报

V0l .35N0.Z 基于P -N 结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟e

任摘要驹郭文阁郑建邦

西北工业大学理学院光信息技术实验室 西安71007Z

通过分析实际P -N 结与理想模型之间的差别e 建立了P -N 结二极管及太阳能电池的数学

模型3利用M atl ab 中的系统仿真模块库建立仿真模型e 设置参量e 求解模型方程并绘制了图形. 对

太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压~短路电流及填充因子的影响做了模拟e 并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较. 模型分析与实验测量的结果表明:等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流. 仿真结果与实验测量结果一致.

关键词P -N 结3伏安特性3等效电路模型3太阳能电池中图分类号O 475文献标识码A

0引言

P -N 结是许多微电子和光电子器件的核心部分. 这些半导体器件的电学特性及光电特性由P -N 结的性质所决定 掌握P -N 结的性质是分析这些器件特性的基础. 半导体导电是通过两种载流子的漂

1 移 扩散及产生与复合实现的 . 由于P -N 结的非

-11

k T

式中 V 为P -N 结两端的电压 J 为通过P -N 结的电流密度 J S 为反向饱和电流. 当正向偏压较大

J =J

S

eX p

时 括号中的指数项远大于1 因而第二项可以忽电流密度与电压呈指数增加关系. 反向偏压时 略

当1V >k T 时 指数项趋于0 电流不随电压改变 趋于饱和值J S .

实验测量发现 肖克莱方程与实际P -N 结的伏安特性偏离较大 主要表现在两个方面 正向电压1 较小时 理论值比实验值小 正向电压较大时 J-V 关系变为线性关系 反向偏压时 反向电流比理论Z 反向电流不饱和 随反向偏压的增大略有值大许多

增加. 这说明理想模型不能真实反映实际器件的特

3 性 需要建立更为完善的P -N 结模型 . 在实际器

其电流电压关系无法通过一个简单的解线性特性

析模型来确定. 虽然肖克莱方程给出了理想P -N 结的电流电压关系 但与实际器件的性质差别很大. 在实际器件中 由于表面效应 势垒区载流子的产生及复合 电阻效应等因素的影响 其电流电压特性只在很小的范围内接近理想值. 正向电压增大时 I-V

曲线由指数关系转变为线性关系. 反向电压增大时 在一定范围内也是线性关系 反向电压过大还会发生P -N 结的击穿.

本文通过一个简单的电路模型模拟了实际的讨论了各实际参量对伏安特性的影响. 并P -N 结

针对太阳能电池在一定光照下其实际参量如旁路电阻和串联电阻对其开路电压 短路电流及填充因子的影响 利用计算机对其伏安特性进行建模分析 以获得接近实际器件的特性.

件中 载流子的产生 传输和复合会对P -N 结中的

4

空间电荷场产生影响 从而导致P -N 结电流电压

特性偏离理想方程.

正向偏压时 注入势垒区的载流子有一部分形成复合电流 其大小与eX p 成正比 总电Z k T 1V

流密度为扩散电流密度与复合电流密度之和. 对于硅 在较低正向偏压下 复合电流占主要地位 因而总电流大于理想条件下的电流 正向偏压较高时 复

Z 合电流可以忽略 .

l P -N 结的伏安特性分析及等效电路

理想P -N 结模型满足小注入 突变耗尽层及玻耳兹曼边界条件 且不考虑耗尽层中载流子的产生

Z

和复合作用 . 其电流电压关系可由肖克莱方程给

正向电流很大时 器件体电阻及电极接触电阻上的压降不可忽略 这样 加在P -N 结势垒区的电压就减小了 正向电流增加就比较缓慢 在体电阻及电极接触电阻上的压降占主要地位时 电流电压关系便成为由电阻决定的线性关系.

反向偏压时 势垒区电场增强 通过复合中心产生的电子空穴对在复合之前被强电场驱走 使得载

Z

流子产生率大于复合率 形成产生电流

出 即

e

西北大学人才引进资金项目(和研究生创业种04XD 0114)

子基金(资助ZZ 00579) T el :0Z 9884957Z 4Em ail :ren u @m ail .n W p u .edu .cn 收稿日期:Z 0041Z 30

(J G =1GX D Z >

这个电流与势垒宽度X D 成正比 G 为净产生率. 随着反向偏压的增加 势垒宽度增大 所以反向电流不饱和 随反向偏压增大而增大.

基于上面的考虑 可以建立实际P -N 结的一个

5]等效电路模型 如图1 R Sh

为考虑到载流子的产生

(Sh

3>

式中 J D 为通过理想P -N 结势垒区的电流密度

由肖克莱方程式(1>

给出 将其代入得J =J

S

eX p (

V -J R S >>]

S k T

-1+R (>Sh 4

由式(4>

可以看出 在正向偏压较小时 由于R Sh 为有限大 式中第二项大于零 因而电流大于理想P -N 结的电流 如图Z 中O 段; 当正向偏压比较大时 正向电流很大 R S 上的压降就会比较大 而P -N 结势垒区的压降V D 趋于饱和 式(4>括号中(V -J R S >趋于定值 即电流密度与电压成线性关系 在J-V 图上为一条直线 如图Z 中C 段 其斜率由R S 决定;

在加

Sh

-1+-J L

R Sh k T

可以看出, 有光照时的伏安特性曲线相当于将暗特J =J

S

[

eX p

]

变的过程中, 曲线与横轴的交点没有变化, 即对开路电压没有影响, 而纵轴的交点却发生变化, 随着R S 的增大, 短路电流密度绝对值在减小~另外, R S 不为零的曲线在电压较大时伏安特性趋于线性关系, 且其斜率由R S 决定~图5描述了当R S 为零, R Sh 取不同值时的影响, 可以看出在R Sh 改变的过程中, 短路电流没有变化, 开路电压发生比较明显的变化. 且R Sh 不为零的曲线在反向偏压时伏安特性也趋于线性关系, 斜率由R Sh 决定. 表1和表Z 分别给出了太阳能电池在不同串联电阻和旁路电阻下的各输出量的情况. 主要是三个输出量=开路电压V 0c ~短路电流密度J

Sc

性曲线向下平移J

L

得到. 光照强度的增加会引起

开路电压和短路电流的增加[6]. 当二极管两端开路时, 通过P -N 结的净电流为零, 此时电压为开路电压V 0c . 在式中令J =0, 则有

V 0c 0c

-1+=J L

R Sh k T

这表明, 开路电压不受串联电阻R S 的影响, 但随R Sh

J

S

[

eX p

]

减小而减小. 在二极管两端短路时, 电压为零, 此时的电流为短路电流密度J Sc . 若令V =0, 并且考虑到一般情况下R S 可化为

Sc S

-1-J L

k T

由式可以看出, 短路电流基本与R Sh 无关, 但受R S 的影响, 随着R S 的增大, J Sc 会减小.

~填充因子F.F

.

J

Sc

=J

S

[

eX p

]

3P -N 结太阳能电池伏安特性的计算

机仿真

以上定性分析了P -N 结等效电路中串联电阻和旁路电阻对其伏安特性的影响, 并讨论了太阳能电池的短路电流和开路电压与电池内部的旁路电阻及串联电阻之间的关系. 但要对其做定量讨论, 就要求解式或式的方程, 这两个方程是超越方程, 无法通过数学方法求解. 在此, 通过M atl ab 中的S i muli nk 系统仿真模块库建立仿真程序, 对方程进行数值求解. 在系统中, 令J L =0, 即光电流为零, 便得到式. 通过运行仿真得到的数据可以绘出不同参量下的伏安特性曲线, 如图4, 图5. 在模型中, P -N 结反向饱和电流密度J

S

取值10-1Z A /

L

c m Z , 温度T =300 , 光生电流密度J =0.03A /

c m Z . 在图4中, 旁路电阻R Sh 为无穷大, 串联电阻

R S 分别取0~5~15~Z 00-c m Z . 可以看出, 在R S 改

1Z 100.6Z 40.030.438Z 5

3Z 00.6Z 40.0Z 77970.Z 6447

4300.6Z 40.0198480.Z 5Z 69

5400.6Z 40.01513Z 0.Z 510Z

6500.6Z 40.01Z 1990.Z 5047

R S /

V 0c /V

Z

00.6Z 4>

0.030.83146表2J Sc /

F.F

-Z

不同 sh 值对应的太阳能电池的性能参量

Z 10000.6Z 30.030.8170Z

31000.6180.030.68316

4500.610.030.54168

5Z 00.5560.030.Z 6978

6100.30.030.Z 5

R S =0

R Sh /V 0c /V

J Sc /

F.F

1 0.6Z 40.030.83146

图6和图7为根据式和式得到的仿真结

果, 分别描述了开路电压随旁路电阻减小而下降和

短路电流随串联电阻增大而降低的关系. 从图6可以看出e 当1/仿真结果曲线趋近于反比R Sh 较大时e 大时e 仿真结果曲线趋近于反比例函数曲线J Sc =0.6/R S . 其比例系数0.03和0.6分别近似等于短路电流和开路电压的值

.

Anal y s is and S i mul ati on of S ol ar C ells , V -A Pro P erties Based on P -N Juncti on

Ren Ju ! Gu0 en g e ! Zhen g Ji anban g

01tiC Ol I n f or m Otion T eC hnolo g$LOborOt or $! SC hool o f SCienCe ! Nort h w estern Pol $teC hniC Ol Uniuersit $! Xi, On 71007Z

Recei ved date " Z 0041Z 30

Abstract it h t he eSt abli Shi n g 0f a m at he m ati cal m0del 0f P -N uncti 0n ! t he diff erence bet Ween a p racti cal

P -N uncti 0n and itS i deal m0del WaS anal y Zed . The v0lt-a m p ere p r 0p erti eS 0f di 0deS and S0l ar cell S Were Si mul at ed t hr 0u g h t he m0del . The i nfl uence 0f Seri eS and Shunt t 00p en-circuit v0lt a g e and Sh0rt-circuit current 0f S0l ar cell S under cert ai n ill u m i nati 0n Were de m0nStrat ed . it h a Si m p l e m0del eSt abli Shed b y M atl ab ! t he e g ui val ent circuit 0f a S0l ar cell WaS nu m eri call y anal y Zed and S0l ved t h0u g h a e g uati 0n . A t l aSt ! I-V p r 0p erti eS 0f a S i S0l ar cell Were m eaSured and c0m p ared t 0t he I-V cur ve cal cul at ed b y 0ur m0del Wh0Se p ara m et erS Were Setti n g p r 0p erl y . The reSultS Sh0W t hat t he m0del eSt abli Shed i n t hi S p a p er i S c0nSi St ent W it h t he p racti cal devi ceS . Ke y words P -N uncti 0n #V -A p r 0p ert y #E g ui val ent circuit #S0l ar

cell

Ren Ju WaS b0r n i n 1981! ShanXi Pr 0vi nce . ~erecei ved hi S B.S.de g ree 0f m at eri al p h y Si cS

i n ~arbi n Uni verSit y 0f S ci ence and T echn0l 0gy i n Z 003. N0W he i S St ud y i n g f 0r hi S M.S. de g ree i n 0p ti cal i n N0rt h WeSt P0l y t echni cal Uni verSit y . ~i S m ai n reSearch i nt ereSt i S 0r g ani c fil m S0l ar cell .

基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟

作者：作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：被引用次数：

任驹， 郭文阁， 郑建邦， Ren Ju， Guo Wenge， Zheng Jianbang西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安,710072光子学报

ACTA PHOTONICA SINICA2006,35(2)11次

参考文献(6条)

1. 汪韬;赛小锋;李晓婷 新型菲涅尔聚焦聚光太阳能电池组件研究[期刊论文]-光子学报 2003(05)2. 梁创;廖静;梁冰 硅雪崩光电二极管单光子探测器[期刊论文]-光子学报 2000(12)

3. 邱勇;杨延强;杨庆鑫 有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃输运[期刊论文]-光子学报 2001(09)4. Robert F Pierret Semiconductor Device Fundamentals 20045. 刘恩科;朱秉升;罗晋升 半导体物理学 19986. 黄昆;韩汝琦 半导体物理基础 1979

引证文献(11条)

1. 赵明. 刘卓 太阳能照明优化[期刊论文]-光源与照明 2011(1)

2. 朱文武. 包广华 基于遗传算法提取PN二极管主要参数的研究[期刊论文]-芜湖职业技术学院学报 2010(2)3. 杨亚丽. 陈国鹰. 郭丽斌. 高慧 三结GaAs太阳电池的I-V特性研究[期刊论文]-半导体技术 2010(5)4. 刘卓. 刘克富. 赵海洋. 李志豪 智能太阳能最大功率跟踪系统[期刊论文]-光源与照明 2010(2)5. 刘翼. 荆龙. 童亦斌 基于Simulink的光伏电池组件建模和MPPT仿真研究[期刊论文]-科技导报 2010(18)6. 王瑞庭. 魏秀东 太阳能塔式电站镜场对地面的遮阳分析[期刊论文]-光子学报 2009(9)7. 任航. 叶林 太阳能电池的仿真模型设计和输出特性研究[期刊论文]-电力自动化设备 2009(10)8. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 缓冲层提高有机聚合物光伏电池性能研究[期刊论文]-光子学报 2009(7)9. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 有机光伏电池输出特性模拟实验研究[期刊论文]-深圳大学学报（理工版）2008(1)

10. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 有机光伏电池输出特性模拟实验研究[期刊论文]-深圳大学学报（理工版）2008(1)

11. 钟水库. 刘长青. 沈晓明 太阳电池基本参数的实验与分析[期刊论文]-半导体光电 2007(4)

本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gzxb200602003.aspx

第35卷第Z 期

Z 006年Z 月

光子学报

V0l .35N0.Z 基于P -N 结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟e

任摘要驹郭文阁郑建邦

西北工业大学理学院光信息技术实验室 西安71007Z

通过分析实际P -N 结与理想模型之间的差别e 建立了P -N 结二极管及太阳能电池的数学

模型3利用M atl ab 中的系统仿真模块库建立仿真模型e 设置参量e 求解模型方程并绘制了图形. 对

太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压~短路电流及填充因子的影响做了模拟e 并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较. 模型分析与实验测量的结果表明:等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流. 仿真结果与实验测量结果一致.

关键词P -N 结3伏安特性3等效电路模型3太阳能电池中图分类号O 475文献标识码A

0引言

P -N 结是许多微电子和光电子器件的核心部分. 这些半导体器件的电学特性及光电特性由P -N 结的性质所决定 掌握P -N 结的性质是分析这些器件特性的基础. 半导体导电是通过两种载流子的漂

1 移 扩散及产生与复合实现的 . 由于P -N 结的非

-11

k T

式中 V 为P -N 结两端的电压 J 为通过P -N 结的电流密度 J S 为反向饱和电流. 当正向偏压较大

J =J

S

eX p

时 括号中的指数项远大于1 因而第二项可以忽电流密度与电压呈指数增加关系. 反向偏压时 略

当1V >k T 时 指数项趋于0 电流不随电压改变 趋于饱和值J S .

实验测量发现 肖克莱方程与实际P -N 结的伏安特性偏离较大 主要表现在两个方面 正向电压1 较小时 理论值比实验值小 正向电压较大时 J-V 关系变为线性关系 反向偏压时 反向电流比理论Z 反向电流不饱和 随反向偏压的增大略有值大许多

增加. 这说明理想模型不能真实反映实际器件的特

3 性 需要建立更为完善的P -N 结模型 . 在实际器

其电流电压关系无法通过一个简单的解线性特性

析模型来确定. 虽然肖克莱方程给出了理想P -N 结的电流电压关系 但与实际器件的性质差别很大. 在实际器件中 由于表面效应 势垒区载流子的产生及复合 电阻效应等因素的影响 其电流电压特性只在很小的范围内接近理想值. 正向电压增大时 I-V

曲线由指数关系转变为线性关系. 反向电压增大时 在一定范围内也是线性关系 反向电压过大还会发生P -N 结的击穿.

本文通过一个简单的电路模型模拟了实际的讨论了各实际参量对伏安特性的影响. 并P -N 结

针对太阳能电池在一定光照下其实际参量如旁路电阻和串联电阻对其开路电压 短路电流及填充因子的影响 利用计算机对其伏安特性进行建模分析 以获得接近实际器件的特性.

件中 载流子的产生 传输和复合会对P -N 结中的

4

空间电荷场产生影响 从而导致P -N 结电流电压

特性偏离理想方程.

正向偏压时 注入势垒区的载流子有一部分形成复合电流 其大小与eX p 成正比 总电Z k T 1V

流密度为扩散电流密度与复合电流密度之和. 对于硅 在较低正向偏压下 复合电流占主要地位 因而总电流大于理想条件下的电流 正向偏压较高时 复

Z 合电流可以忽略 .

l P -N 结的伏安特性分析及等效电路

理想P -N 结模型满足小注入 突变耗尽层及玻耳兹曼边界条件 且不考虑耗尽层中载流子的产生

Z

和复合作用 . 其电流电压关系可由肖克莱方程给

正向电流很大时 器件体电阻及电极接触电阻上的压降不可忽略 这样 加在P -N 结势垒区的电压就减小了 正向电流增加就比较缓慢 在体电阻及电极接触电阻上的压降占主要地位时 电流电压关系便成为由电阻决定的线性关系.

反向偏压时 势垒区电场增强 通过复合中心产生的电子空穴对在复合之前被强电场驱走 使得载

Z

流子产生率大于复合率 形成产生电流

出 即

e

西北大学人才引进资金项目(和研究生创业种04XD 0114)

子基金(资助ZZ 00579) T el :0Z 9884957Z 4Em ail :ren u @m ail .n W p u .edu .cn 收稿日期:Z 0041Z 30

(J G =1GX D Z >

这个电流与势垒宽度X D 成正比 G 为净产生率. 随着反向偏压的增加 势垒宽度增大 所以反向电流不饱和 随反向偏压增大而增大.

基于上面的考虑 可以建立实际P -N 结的一个

5]等效电路模型 如图1 R Sh

为考虑到载流子的产生

(Sh

3>

式中 J D 为通过理想P -N 结势垒区的电流密度

由肖克莱方程式(1>

给出 将其代入得J =J

S

eX p (

V -J R S >>]

S k T

-1+R (>Sh 4

由式(4>

可以看出 在正向偏压较小时 由于R Sh 为有限大 式中第二项大于零 因而电流大于理想P -N 结的电流 如图Z 中O 段; 当正向偏压比较大时 正向电流很大 R S 上的压降就会比较大 而P -N 结势垒区的压降V D 趋于饱和 式(4>括号中(V -J R S >趋于定值 即电流密度与电压成线性关系 在J-V 图上为一条直线 如图Z 中C 段 其斜率由R S 决定;

在加

Sh

-1+-J L

R Sh k T

可以看出, 有光照时的伏安特性曲线相当于将暗特J =J

S

[

eX p

]

变的过程中, 曲线与横轴的交点没有变化, 即对开路电压没有影响, 而纵轴的交点却发生变化, 随着R S 的增大, 短路电流密度绝对值在减小~另外, R S 不为零的曲线在电压较大时伏安特性趋于线性关系, 且其斜率由R S 决定~图5描述了当R S 为零, R Sh 取不同值时的影响, 可以看出在R Sh 改变的过程中, 短路电流没有变化, 开路电压发生比较明显的变化. 且R Sh 不为零的曲线在反向偏压时伏安特性也趋于线性关系, 斜率由R Sh 决定. 表1和表Z 分别给出了太阳能电池在不同串联电阻和旁路电阻下的各输出量的情况. 主要是三个输出量=开路电压V 0c ~短路电流密度J

Sc

性曲线向下平移J

L

得到. 光照强度的增加会引起

开路电压和短路电流的增加[6]. 当二极管两端开路时, 通过P -N 结的净电流为零, 此时电压为开路电压V 0c . 在式中令J =0, 则有

V 0c 0c

-1+=J L

R Sh k T

这表明, 开路电压不受串联电阻R S 的影响, 但随R Sh

J

S

[

eX p

]

减小而减小. 在二极管两端短路时, 电压为零, 此时的电流为短路电流密度J Sc . 若令V =0, 并且考虑到一般情况下R S 可化为

Sc S

-1-J L

k T

由式可以看出, 短路电流基本与R Sh 无关, 但受R S 的影响, 随着R S 的增大, J Sc 会减小.

~填充因子F.F

.

J

Sc

=J

S

[

eX p

]

3P -N 结太阳能电池伏安特性的计算

机仿真

以上定性分析了P -N 结等效电路中串联电阻和旁路电阻对其伏安特性的影响, 并讨论了太阳能电池的短路电流和开路电压与电池内部的旁路电阻及串联电阻之间的关系. 但要对其做定量讨论, 就要求解式或式的方程, 这两个方程是超越方程, 无法通过数学方法求解. 在此, 通过M atl ab 中的S i muli nk 系统仿真模块库建立仿真程序, 对方程进行数值求解. 在系统中, 令J L =0, 即光电流为零, 便得到式. 通过运行仿真得到的数据可以绘出不同参量下的伏安特性曲线, 如图4, 图5. 在模型中, P -N 结反向饱和电流密度J

S

取值10-1Z A /

L

c m Z , 温度T =300 , 光生电流密度J =0.03A /

c m Z . 在图4中, 旁路电阻R Sh 为无穷大, 串联电阻

R S 分别取0~5~15~Z 00-c m Z . 可以看出, 在R S 改

1Z 100.6Z 40.030.438Z 5

3Z 00.6Z 40.0Z 77970.Z 6447

4300.6Z 40.0198480.Z 5Z 69

5400.6Z 40.01513Z 0.Z 510Z

6500.6Z 40.01Z 1990.Z 5047

R S /

V 0c /V

Z

00.6Z 4>

0.030.83146表2J Sc /

F.F

-Z

不同 sh 值对应的太阳能电池的性能参量

Z 10000.6Z 30.030.8170Z

31000.6180.030.68316

4500.610.030.54168

5Z 00.5560.030.Z 6978

6100.30.030.Z 5

R S =0

R Sh /V 0c /V

J Sc /

F.F

1 0.6Z 40.030.83146

图6和图7为根据式和式得到的仿真结

果, 分别描述了开路电压随旁路电阻减小而下降和

短路电流随串联电阻增大而降低的关系. 从图6可以看出e 当1/仿真结果曲线趋近于反比R Sh 较大时e 大时e 仿真结果曲线趋近于反比例函数曲线J Sc =0.6/R S . 其比例系数0.03和0.6分别近似等于短路电流和开路电压的值

.

Anal y s is and S i mul ati on of S ol ar C ells , V -A Pro P erties Based on P -N Juncti on

Ren Ju ! Gu0 en g e ! Zhen g Ji anban g

01tiC Ol I n f or m Otion T eC hnolo g$LOborOt or $! SC hool o f SCienCe ! Nort h w estern Pol $teC hniC Ol Uniuersit $! Xi, On 71007Z

Recei ved date " Z 0041Z 30

Abstract it h t he eSt abli Shi n g 0f a m at he m ati cal m0del 0f P -N uncti 0n ! t he diff erence bet Ween a p racti cal

P -N uncti 0n and itS i deal m0del WaS anal y Zed . The v0lt-a m p ere p r 0p erti eS 0f di 0deS and S0l ar cell S Were Si mul at ed t hr 0u g h t he m0del . The i nfl uence 0f Seri eS and Shunt t 00p en-circuit v0lt a g e and Sh0rt-circuit current 0f S0l ar cell S under cert ai n ill u m i nati 0n Were de m0nStrat ed . it h a Si m p l e m0del eSt abli Shed b y M atl ab ! t he e g ui val ent circuit 0f a S0l ar cell WaS nu m eri call y anal y Zed and S0l ved t h0u g h a e g uati 0n . A t l aSt ! I-V p r 0p erti eS 0f a S i S0l ar cell Were m eaSured and c0m p ared t 0t he I-V cur ve cal cul at ed b y 0ur m0del Wh0Se p ara m et erS Were Setti n g p r 0p erl y . The reSultS Sh0W t hat t he m0del eSt abli Shed i n t hi S p a p er i S c0nSi St ent W it h t he p racti cal devi ceS . Ke y words P -N uncti 0n #V -A p r 0p ert y #E g ui val ent circuit #S0l ar

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Ren Ju WaS b0r n i n 1981! ShanXi Pr 0vi nce . ~erecei ved hi S B.S.de g ree 0f m at eri al p h y Si cS

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基于P-N结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟

作者：作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：被引用次数：

任驹， 郭文阁， 郑建邦， Ren Ju， Guo Wenge， Zheng Jianbang西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安,710072光子学报

ACTA PHOTONICA SINICA2006,35(2)11次

参考文献(6条)

1. 汪韬;赛小锋;李晓婷 新型菲涅尔聚焦聚光太阳能电池组件研究[期刊论文]-光子学报 2003(05)2. 梁创;廖静;梁冰 硅雪崩光电二极管单光子探测器[期刊论文]-光子学报 2000(12)

3. 邱勇;杨延强;杨庆鑫 有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃输运[期刊论文]-光子学报 2001(09)4. Robert F Pierret Semiconductor Device Fundamentals 20045. 刘恩科;朱秉升;罗晋升 半导体物理学 19986. 黄昆;韩汝琦 半导体物理基础 1979

引证文献(11条)

1. 赵明. 刘卓 太阳能照明优化[期刊论文]-光源与照明 2011(1)

2. 朱文武. 包广华 基于遗传算法提取PN二极管主要参数的研究[期刊论文]-芜湖职业技术学院学报 2010(2)3. 杨亚丽. 陈国鹰. 郭丽斌. 高慧 三结GaAs太阳电池的I-V特性研究[期刊论文]-半导体技术 2010(5)4. 刘卓. 刘克富. 赵海洋. 李志豪 智能太阳能最大功率跟踪系统[期刊论文]-光源与照明 2010(2)5. 刘翼. 荆龙. 童亦斌 基于Simulink的光伏电池组件建模和MPPT仿真研究[期刊论文]-科技导报 2010(18)6. 王瑞庭. 魏秀东 太阳能塔式电站镜场对地面的遮阳分析[期刊论文]-光子学报 2009(9)7. 任航. 叶林 太阳能电池的仿真模型设计和输出特性研究[期刊论文]-电力自动化设备 2009(10)8. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 缓冲层提高有机聚合物光伏电池性能研究[期刊论文]-光子学报 2009(7)9. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 有机光伏电池输出特性模拟实验研究[期刊论文]-深圳大学学报（理工版）2008(1)

10. 李卫民. 郭金川. 孙秀泉. 周彬 有机光伏电池输出特性模拟实验研究[期刊论文]-深圳大学学报（理工版）2008(1)

11. 钟水库. 刘长青. 沈晓明 太阳电池基本参数的实验与分析[期刊论文]-半导体光电 2007(4)

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